Лазеры 
Усилители 
Лазерная электроника 
Лазерные комплексы 
Пикосекундные лазеры 
Одночастотные лазеры Технологический лазерный стенд для скрайбирования полупроводниковых структур
НИТУ МИСИС
Лаборатория перспективной солнечной энергетики [L.A.S.E]
Москва
Задача:
Лаборатория перспективной солнечной энергетики [L.A.S.E] НИТУ МИСИС проводит комплексные исследования по прототипированию, печати и исследованию тонкопленочных преобразователей энергии.
В ходе решения научных задач появилась потребность в установке для скрайбирования полупроводниковых структур, оснащенной точной системой позиционирования и техническим зрением для микро-паттеринга в тонкопленочной оптоэлектронике.
Решение:
- Разработан оригинальный технологический стенд на основе 355 нм лазерного источника для обработки многослойных и протяженных полупроводниковых структур со сложной геометрией
- Внедрены системы позиционирования и сканирования
- Разработано специальное ПО под проект
Сроки реализации: 6 месяцев
НИТУ МИСИС
Лаборатория перспективной солнечной энергетики [L.A.S.E]
Москва
Характеристики и особенности проекта:
- Лазерный источник:
DPSS лазер 355 нм, <20 нс @49 кГц, 3 Вт, 70 мкДж - Пневматическая система виброизоляции
- Гранитный портал
- Система позиционирования:
XYZ с диапазоном перемещения 300 мм
и абсолютной точностью +/- 1 мкм - Система пылеудаления
- Вакуумный прижим образцов
- Индивидуальная разработка ПО
Применение технологического комплекса НОРДЛЭЙЗ позволяет значительно повысить эффективность исследований, а также отработать новые технологии обработки полупроводниковых материалов.
Фото проекта
