Технологический лазерный стенд для скрайбирования полупроводниковых структур
![logo](/upload/iblock/972/rhugqfzehwvqnppbg6chk1ee9imik9ai/llol.png)
НИТУ МИСИС
Лаборатория перспективной солнечной энергетики [L.A.S.E]
Москва
Задача:
Лаборатория перспективной солнечной энергетики [L.A.S.E] НИТУ МИСИС проводит комплексные исследования по прототипированию, печати и исследованию тонкопленочных преобразователей энергии.
В ходе решения научных задач появилась потребность в установке для скрайбирования полупроводниковых структур, оснащенной точной системой позиционирования и техническим зрением для микро-паттеринга в тонкопленочной оптоэлектронике.
![taskimg](/upload/iblock/239/4y1ozjvtzbesena3vu22cuu7glc62mwi/image_14.png)
Решение:
- Разработан оригинальный технологический стенд на основе 355 нм лазерного источника для обработки многослойных и протяженных полупроводниковых структур со сложной геометрией
- Внедрены системы позиционирования и сканирования
- Разработано специальное ПО под проект
Сроки реализации: 6 месяцев
![logo](/upload/iblock/972/rhugqfzehwvqnppbg6chk1ee9imik9ai/llol.png)
НИТУ МИСИС
Лаборатория перспективной солнечной энергетики [L.A.S.E]
Москва
![big_detail_img](/upload/iblock/761/0loj0xhnrp2h19w4j524390wzbrlvaog/big_photo.jpg)
Характеристики и особенности проекта:
- Лазерный источник:
DPSS лазер 355 нм, <20 нс @49 кГц, 3 Вт, 70 мкДж - Пневматическая система виброизоляции
- Гранитный портал
- Система позиционирования:
XYZ с диапазоном перемещения 300 мм
и абсолютной точностью +/- 1 мкм - Система пылеудаления
- Вакуумный прижим образцов
- Индивидуальная разработка ПО
Применение технологического комплекса НОРДЛЭЙЗ позволяет значительно повысить эффективность исследований, а также отработать новые технологии обработки полупроводниковых материалов.