8 (800) 200-65-60

Ru
Eng

Главная
Каталог
Лазерные комплексы
Технологические комплексы на основе лазеров с ультракороткими импульсами

Технологические комплексы на основе лазеров с ультракороткими импульсами

Технологические комплексы на основе лазеров с ультракороткими импульсами - фото 1

Технологические комплексы на основе лазеров с ультракороткими импульсами - фото 2

Технологические комплексы на основе лазеров с ультракороткими импульсами - фото 1

Технологические комплексы на основе лазеров с ультракороткими импульсами - фото 2

Заказать товар

Скачать даташит

Характеристики

Длины волн лазерных источников
1064 нм и 532 нм
Минимальный размер пятна
< 10 мкм
Точность позиционирования
< 0,5 мкм
Плотность энергии воздействия
от 0.5 до 100 Дж/см²
Категория
Лазерные комплексы

Описание

Характеристики

Рекомендации по использованию

Особенности:

система линейных перемещений
гальвосканер
система автофокусировки
система визуализации области обработки
управляющее ПО с графическим интерфейсом

Обрабатываемые материалы:

сверхтвердые и жаропрочные сплавы
сплавы с высокой теплопроводностью
керамика
композиты
стекло

Параметр

Значение
Длины волн лазерных источников

1064 нм и 532 нм
Минимальный размер пятна

< 10 мкм
Точность позиционирования

< 0,5 мкм
Плотность энергии воздействия

от 0.5 до 100 Дж/см²
Пиковая мощность излучения

до 1 МВт

сверхточная маркировка
резка стекла
резка керамики
лазерная очистка поверхностей
скрайбирование
прошивка отверстий диаметра менее 100 мкм
профилирование поверхности
сверхточная резка
сварка стекла и металлов

Испытательный лазерный комплекс

Испытательный лазерный комплекс

Спецификация

Контроллер лазерных диодов NL-LCB

Контроллер лазерных диодов NL-LCB

Спецификация

Прецизионный стенд управления лазером с постоянным током NLB-2000

Прецизионный стенд управления лазером с постоянным током NLB-2000

Спецификация

Короткоимпульсный лазерный диодный драйвер NLDP-NS

Короткоимпульсный лазерный диодный драйвер NLDP-NS

Спецификация